[네패스] HBM 도금액 국산화 성공...본격 양산 돌입

네패스, HBM 도금액 국산화 성공… 연내 양산 개시

네패스의 전자재료 사업부는 언론을 통해 반도체 도금액이 HBM용 실리콘관통전극(TSV) 공장에 채택, 올해부터 양산을 시작한다고 밝혔습니다. TSV 공정은 메모리 칩을 수직으로 쌓고 적층된 칩 사이에 전기적 신호가 전달되게 하는 공정으로 HBM 제조에 필수적으로 적용되며, 반도체 칩 집적도를 높이면서 전기적 특성을 유지할 수 있도록 하는 도금액은 그동안 일본과 미국 등 해외 기업으로부터 전량 수입해 왔습니다. 이번에 양산할 도금액은 미세공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM에 사용되는 제품입니다. 성능과 공정성, 제품 균일성이 우수해 HBM 외에도 10㎚(나노미터, 1㎚는 10억분의 1m) 이하 미세 공정이 적용되는 반도체에 특화된 제품이라고 설명했습니다.

 

 

네패스는 올해 도금액 매출을 450억원으로 예상하며, 매년 30~40% 이상 성장할 것으로 기대하고 있으며, 이에 따른 네패스 전자재료 사업부의 올해 예상 매출은 950억원, 2026년 예상 매출은 1900억원 규모입니다.

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아울러 네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료인 포토센시티브 폴리이미드(Photosensitive Polyimide, PSPI)도 준비하고 있이며, 이와 관련 화학연구소와 오랜 협업으로 1차 개발을 완료했고, 고객 제품 특성에 맞춘 조율을 진행 중입니다. 이에 대해 네패스는 "층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375℃)과 저온용(200℃)으로 나뉜다. 특성이 좋은 저온 제품을 중심으로 대만 몇개 업체에 샘플을 제공하기 시작했고, 관련 효과가 나오기를 기대하고 있다"고 언급했습니다.